LNOI 边缘耦合损耗剖析:双锥形耦合器总插损约 7 dB
jwt0625 · x · 2026-10-18
作者分析了一张「好看得有点过头」的 LNOI 测量曲线,并给出量化拆解:DFB-LNOI 耦合采用双锥形边缘耦合器,耦合损耗大于 2 dB(其中完美对准时模态损耗 1.4 dB,空气-铌酸锂折射率失配贡献 0.6 dB),总插入损耗约 7 dB。并引用 Bassil2026 的低 RIN 混合 InP-LNOI 微波光子发射机论文,指出实测 LI 曲线在耦合 LNOI 前后的对比数据。对集成光子学/微波光子链路的损耗预算有参考价值。
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