DFB 激光器耦合薄膜铌酸锂芯片实测数据公布

作者展示并实测了 DFB 激光器与薄膜铌酸锂（LNOI）光子芯片的异质耦合性能：激光阈值仅约 40–45mA，最高输出光功率达 170mW。同时对一条 LNOI 测量曲线进行量化拆解，指出采用双锥形边缘耦合器时总插损约 7dB，其中耦合损耗大于 2dB（完美对准下模态损耗为 1.4dB）。

2026-10-18 ~ 2026-10-18 · 2 条相关

• DFB 激光器耦合薄膜铌酸锂芯片：最高 170mW、阈值仅 40-45mA — jwt0625 · 2026-10-18
• LNOI 边缘耦合损耗剖析:双锥形耦合器总插损约 7 dB — jwt0625 · 2026-10-18