传英伟达旗下 Groq 新芯片将 3D 堆叠 DRAM 破 SRAM 瓶颈

韩国 ZDNet 等媒体证实,已被英伟达实质收购(去年 12 月斥资约 200 亿美元)的 AI 芯片公司 Groq,计划在下一代推理芯片中采用 3DS(3D Stacked Memory)封装技术,通过 TSV 垂直堆叠 DRAM,以摆脱「速度快但容量小」的 SRAM 中心设计,大幅提升片上内存容量,突破 SRAM 容量瓶颈。

2026-10-21 ~ 2026-10-21 · 3 条相关

• 被英伟达收购的 Groq 拟在新一代 LPU 用 3D 堆叠 DRAM 突破 SRAM 容量瓶颈 — jukan05 · 2026-10-21

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