被英伟达收购的 Groq 拟在新一代 LPU 用 3D 堆叠 DRAM 突破 SRAM 容量瓶颈

jukan05 · x · 2026-10-21

据 ZDNet Korea 报道,已被英伟达收购的 AI 芯片公司 Groq 正推进在新一代芯片中采用 3DS(3D Stacked Memory)封装技术,用 TSV 垂直堆叠 DRAM 替代现有的 SRAM 中心设计。SRAM 速度快但容量小,DRAM 稍慢却利于大容量;3DS 与 HBM 同用 TSV,但不像 HBM 追求传输速度,而是在保留 DRAM 接口的前提下专注扩大容量。业内解读此举意在大幅提升芯片容量,顺应市场对更大芯片的需求。Groq 由前 Google TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立,去年被英伟达间接收购。