韩媒佐证:Groq 下一代芯片拟用 3DS 封装堆叠 DRAM 突破 SRAM 容量
rohanpaul_ai · x · 2026-10-21
ZDNet Korea 报道证实此前传闻:被英伟达实质收购的 Groq 正筹划在下一代芯片中采用 3D 封装,用 DRAM 取代 SRAM 以大幅提升容量。
- 所报方案名为 3DS(3D Stacked Memory):通过硅通孔(TSV)垂直连接 DRAM 芯片,与 HBM 类似但重点不同——HBM 追求传输速度,3DS 保留标准 DRAM 接口、专注扩容
- 业界解读:SRAM 快但容量小,DRAM 慢但利于大容量,市场整体偏好更大的芯片是 Groq 转向的原因
- Groq 由前 Google TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立,去年被英伟达间接收购
(与 Groq 堆叠 DRAM 的详细技术分析帖为同一事件,详见主帖。)
所属事件:传英伟达旗下 Groq 新芯片将 3D 堆叠 DRAM 破 SRAM 瓶颈(3 条相关)→
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