曝 Groq 下一代推理芯片将 3D 堆叠 DRAM,突破 SRAM 容量瓶颈

rohanpaul_ai · x · 2026-10-21

据韩国半导体行业消息,Groq 计划在下一代推理芯片中采用 3D 堆叠 DRAM 封装,以摆脱「速度快但容量小」的 SRAM 中心设计。由于英伟达去年 12 月斥资 200 亿美元获得 Groq 技术授权并收编其核心团队,这款芯片实际上是英伟达的下一代 LPU。

核心矛盾:带宽 vs 容量

两条技术路线

Cerebras 也计划在其 CS-6 晶圆上堆叠 DRAM,说明容量天花板正约束所有 SRAM 优先的设计。最终键合方式决定走向:3DS 主要是加容量,混合键合才可能逼近 SRAM 级带宽。

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