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台积电自产 3D DRAM 传闻与官方否认

The Information 报道称英伟达因 AI 内存短缺请求台积电成为第四家先进内存供应商,台积电已着手起草 3D DRAM 方案;次日台积电公开否认该传闻,重申将继续专注于纯逻辑代工业务,事件以罗生门式反转收场。

2026-11-06 ~ 2026-11-08 · 2 集 · 6 条

第 1 集 · 应英伟达要求,台积电拟自产 3D DRAM 破解内存荒(2026-11-06,4 条)

据 The Information 报道,全球 AI 内存短缺促使英伟达请求台积电成为第四家先进内存供应商,台积电已由先进封装高管徐国进牵头起草 3D DRAM(存储单元垂直堆叠)制造方案,可能新建晶圆厂或收购现有产能。不过该方案预计 2027 年前不会带来新增供给,三星已表示其 2027 年 HBM 产能售罄,英伟达此举也被视为瞄准 2028 年的存储议价权、打破三大内存厂垄断格局。

第 2 集 · 台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM(2026-11-08,2 条)

据 Tom's Hardware 报道,针对此前「应最大客户英伟达请求开始起草 3D DRAM 方案」的传闻,台积电公开否认,重申将继续专注于纯逻辑代工业务。背景是 AI 需求已耗尽 DRAM 产能,内存成为加速器的关键瓶颈,因此业界传出芯片厂商考虑自研堆叠内存的动向。