传英伟达请台积电造 3D DRAM,打破三大内存厂垄断格局
rohanpaul_ai · x · 2026-11-07
据 The Information，AI 驱动的内存短缺促使英伟达请求 TSMC 成为第四家先进内存供应商，TSMC 已开始起草制造 3D DRAM 芯片的计划。
- 目前英伟达只能从三星、SK 海力士、美光三家购买先进内存；若 TSMC 入局，供应增加将削弱三家抬价能力。
- 此前 10 月有报道称英伟达要求三家内存厂商的定制 HBM 基底裸片都改用 TSMC 3nm 工艺，以便短缺时在厂商间调配订单。
- 3D DRAM（垂直堆叠存储单元提升密度）尚无厂商做成成熟产品，TSMC 手握垂直 DRAM 专利，这是它的切入机会。TSMC 未定生产时间表，考虑建新厂或改造现有厂，但强调核心仍是逻辑代工。
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