台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚持纯逻辑代工
rohanpaul_ai · x · 2026-11-08
此前有报道称台积电应最大客户英伟达的要求开始制定 3D DRAM 计划，台积电已公开否认，表示将继续专注纯逻辑代工。
- 背景：AI 需求抽干了 DRAM 产能，内存已成为加速器能否出货的决定性部件，英伟达有动机寻求新供给
- 3D DRAM 通过垂直堆叠内存单元提升单晶圆容量，但连美光也计划至少再走 4 代平面工艺才采用，意味着台积电即便入场也至少 5 年内无法缓解短缺，且其缺乏有竞争力的平面 DRAM 工艺基础
- 台积电其实已在不生产内存的情况下从内存获利：代工 HBM 基底裸片，并用 SoIC 混合键合将内存与逻辑芯片封装在一起
- 另有韩国报道称，英伟达希望三星、SK 海力士和美光在台积电 3nm 工艺上代工其定制 NVHBM 基底裸片，让台积电获得内存收入而无需承担 DRAM 价格波动
所属事件:台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM(2 条相关)→
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