美光 DRAM 31 年缩至 1γ 节点,每片晶圆位元提升超 400 倍
BenBajarin · x · 2026-10-21
Ben Bajarin 分享美光(Micron)关于 DRAM 制程演进的一页材料,感叹内存节点微缩「停不下来」。
图表要点:
- 美光 DRAM 从 1995 年的 350nm 到 2026 年规划中的 1γ,共经历 22 个节点,包括 78nm→42nm→25nm→1X/1Y/1Z nm 再到 1α/1β/1γ 等命名世代。
- 自 1995 年以来,每片 DRAM 晶圆的位元数提升超过 400 倍。
- 在 1γ 尺寸下,超过 1500 个电容器可以横排在一根 50μm 宽的人类头发截面内。
这条路线图直接关系到 AI 时代的内存供给与 HBM 成本走向,是算力供应链的长期背景数据。
所属事件:美光存储路线图:放弃 4F2 直奔 3D DRAM,NAND 继续堆叠(4 条相关)→
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