美光存储路线图：放弃 4F2 直奔 3D DRAM，NAND 继续堆叠

美光技术日公布的存储路线图显示，DRAM 单元尺寸已逼近原子极限，平面扩展空间耗尽，公司将因复杂度与成本问题放弃 4F2 单元架构，直接转向 3D DRAM 立体堆叠方案。回顾历史，美光 DRAM 从 1995 年的 350nm 一路微缩至 1γ 节点，31 年间每片晶圆位元密度提升超 400 倍。NAND 闪存则将继续通过堆叠层数扩展容量，整体演进围绕 AI 带来的带宽需求展开。

2026-10-21 ~ 2026-10-21 · 4 条相关

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