美光存储路线图：DRAM 逼近原子极限转向 3D，NAND 继续堆叠扩展
BenBajarin · x · 2026-10-21
Ben Bajarin 分享美光（$MU）技术日关于存储技术路线的一页：DRAM 方面，单元尺寸已接近原子极限，平面扩展空间耗尽，必须转向 3D DRAM「向上堆叠」；NAND 方面，2015 年 3D NAND 问世前平面扩展已到头，此后经历 z 向堆叠再到 xyz 立体扩展——同样面积放更多位、缩小单元同时增加层数。美光认为平面工艺仍可继续扩展，但会在成本与性能对市场合理时切换到 3D 存储。
所属事件:美光存储路线图：放弃 4F2 直奔 3D DRAM，NAND 继续堆叠(4 条相关)→
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