蓝宝石上直接生长无裂纹氮化硅,2 微米厚仅 200 MPa 应力
jwt0625 · x · 2026-10-15
作者分享了 arXiv 论文 2610.15754(NIST 等机构研究者):在蓝宝石衬底上直接生长无裂纹的化学计量氮化硅薄膜,厚度可达 2 μm 而残余应力仅 200 MPa。
传统氧化硅衬底上 LPCVD 氮化硅约有 1000 MPa 拉伸应力,厚度超过 400 nm 就容易开裂。作者起初困惑于热膨胀系数(CTE)失配范围为何如此之大,随后意识到 CTE 具有温度依赖性,需要在整个温度范围内充分匹配才能避免裂纹。
制备的光子器件在 780 nm 处损耗 0.35 dB/cm、1064 nm 处 0.37 dB/cm、1630 nm 处 0.25 dB/cm,棱镜耦合测量显示低至 500 nm 波长时薄膜损耗低于 1 dB/cm,适用于宽波段非线性与量子光子学。
所属事件:NIST 在蓝宝石上长出无裂纹氮化硅薄膜(2 条相关)→
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