NIST 在蓝宝石上长出无裂纹氮化硅薄膜

NIST 等机构研究者在 arXiv 发表论文(2610.15754)，由 Zhaohui Ma 等 8 位作者完成。研究实现了在蓝宝石衬底上直接生长 2 微米厚、无裂纹的氮化硅，残余应力仅约 200 MPa。该成果为宽波段光子学提供了一个新平台，被视为集成光子学材料制备方面的重要进展。

2026-10-15 ~ 2026-10-15 · 2 条相关

• 蓝宝石上直接生长无裂纹氮化硅,2 微米厚仅 200 MPa 应力 — jwt0625 · 2026-10-15

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