DARPA 资助 GaN 与 InP 异构集成晶圆级 CMOS，仅军工巨头掌握
jwt0625 · x · 2026-09-29
作者指出，TSMC 拥有 GaN 工艺、Intel 拥有 InP 工艺，但只有大型防务承包商能将 GaN HEMT 和 InP HBT 与晶圆级 CMOS 异构集成。技术上有个有趣的细节：GaN 朝上放置，热量先传导至 SiC 衬底再沉入 Si CMOS 芯片；InP 则朝下用于高速互连，采用 15 µm 间距的金-金热压缩键合。该项目由 DARPA 的 DAHI（多样化、可及的异构集成）计划资助。
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