Intel 光互连耦合器实测插损 1~1.5 dB，工艺良率瑕疵可见
jwt0625 · x · 2026-09-12
作者讨论 Intel 团队多年来尝试的多种光耦合器/连接器方案，并指出图中样品存在环氧树脂分层与覆盖不完全的工艺瑕疵，原因可能是担心折射率匹配环氧沾染 TIR 表面损坏连接器。实测插损约 11.5 dB。引用回复中提到另一个方向：光子中介层的无源对准方案（Psaila2024 论文，扩束垂直耦合 + 可插拔硅光）插损约 1 dB、良率约 95%，若再降一半插损即可进一步提升。
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