台积电 2030 启用 High-NA EUV,三星 2028 目标 DRAM 应用
BenBajarin · x · 2026-09-09
Creative Strategies 分析师 Ben Bajarin 发布 High-NA EUV 研究笔记,指出该技术正获得更广泛的生产路线图:
- 台积电承诺 2030 年开始 High-NA EUV 量产,为供应链规划提供更确定的基础
- 三星计划 2028 年在 DRAM 上导入,Intel 已在部分生产层使用
- 高数值孔径光刻将同时应用于先进逻辑与存储芯片
- ASML 是最直接的受益者,但客户实际采购量取决于迁移的层数与单机产能
笔记原文需订阅 Creative Strategies Atlas 查看,链接正文中含大量乱码占位文本。
所属事件:High-NA EUV 路线图明确：Intel 领跑，台积电三星跟进(2 条相关)→
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