High-NA EUV 路线图明确：Intel 领跑，台积电三星跟进

分析师 Ben Bajarin 发布 High-NA EUV 研究笔记，汇总光刻机最新进展。Intel 在面向客户量产的 High NA EUV 导入上取得进展，其成熟方案让客户可在 2028/29 年节点使用该技术；台积电承诺 2030 年启用 High-NA EUV；三星则目标 2028 年将其应用于 DRAM 制造，该技术正获得更广泛的生产路线图。

2026-09-08 ~ 2026-09-09 · 2 条相关

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