DFB 激光器耦合薄膜铌酸锂芯片:最高 170mW、阈值仅 40-45mA

jwt0625 · x · 2026-10-18

作者展示了 DFB 激光器与薄膜铌酸锂绝缘体(LNOI)光子芯片异质耦合前后的实测 LI(光功率-电流)曲线。

关键数据:

图中还给出了 4mm 长铌酸锂波导上带 RF 输入和光学输出的器件结构示意,属于激光器与 LNOI 平台集成质量的实测验证,对光子计算/光互连硬件有意义。

所属事件:DFB 激光器耦合薄膜铌酸锂芯片实测数据公布(2 条相关)→

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