NIST 团队在蓝宝石上长出 2 微米厚无裂纹氮化硅,宽波段光子学新平台
jwt0625 · x · 2026-10-15
arXiv 论文 2610.15754 由 Zhaohui Ma 等 8 位作者(NIST 等)发表,研究在蓝宝石衬底上直接生长低残余应力的化学计量氮化硅,用于宽波段光子学:
- 背景:氧化硅上的 LPCVD 氮化硅是主流宽波段光子学平台,但约 1000 MPa 的残余拉伸应力使膜厚超过 400 nm 时易开裂,是重大工艺难题。
- 方法:对蓝宝石上的 LPCVD 氮化硅进行系统表征——薄膜应力分析、椭偏仪与棱镜耦合测折射率和损耗、以及宽波长范围的扫频光谱器件测量。
- 结果:实现无裂纹、厚达 2 μm 的氮化硅,应力仅 200 MPa;器件传播损耗在 780 nm 处 0.35 dB/cm、1064 nm 处 0.37 dB/cm、1630 nm 处 0.25 dB/cm;棱镜耦合显示低至 500 nm 波长时薄膜损耗低于 1 dB/cm。
所属事件:NIST 在蓝宝石上长出无裂纹氮化硅薄膜(2 条相关)→
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