长鑫存储宣布第五代 DRAM 平台 G5 进入量产

据路透社报道，中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）在 2026 世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台 G5 进入量产，这是中国追赶 DRAM 国际巨头的重要进展。该平台特征间距达 11.95nm，单片晶圆产出提升至少 50%，并推出两款基于 G5 的 LPDDR5X 产品，标志着中国存储工艺缩放的新突破。

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