CXMT 量产 11.95nm 第五代 DRAM,单片晶圆产出提升 50%
mark_k · x · 2026-09-21
据 Reuters 报道,中国头部 DRAM 厂商长鑫存储(CXMT)开始量产新一代内存芯片:
- 第五代平台特征间距达 11.95nm,单片晶圆产出提升至少 50%
- 新款 24Gb LPDDR5X 芯片容量较上代提升 50%
- 定位移动内存,尚非 AI 加速器所需的尖端 HBM
- 在多年出口管制下仍实现国产制程推进,被视为重要突破
所属事件:长鑫存储宣布第五代 DRAM 平台 G5 进入量产(3 条相关)→
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