长鑫存储 G5 平台量产:内存阵列半间距达 11.95nm
pstAsiatech · x · 2026-09-21
长鑫存储(CXMT)在 2026 世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台 G5 进入量产,是中国存储工艺缩放的新突破:
- 产品:两款基于 G5 的 LPDDR5X,容量 24Gb,比上代同类产品高 50%,分别采用 496-ball 与 245-ball 封装,面向中高端智能手机与便携消费电子,均已量产。
- 工艺:采用 SAQP 四重图形化技术,内存阵列有源区半间距 11.95nm,逼近全球最先进量产存储平台;电容深宽比 45:1,使用 DRAM 优化的 HKMG 工艺,核心单元阵列高度降至 6762nm。
- 研发方法:在现有工艺模块上构建覆盖全生命周期的数字孪生系统,以缩短研发周期。
所属事件:长鑫存储宣布第五代 G5 DRAM 量产,晶圆产出大增(2 条相关)→
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