曝英伟达要求台积电规划 3D DRAM,应对 AI 内存短缺

据 The Information 报道,英伟达已请求台积电规划并生产下一代 3D DRAM(存储单元垂直堆叠的内存),以应对全球 AI 内存短缺。这一举措意味着供应瓶颈已迫使英伟达直接介入上游存储供应链,并瞄准 2028 年前后的存储议价权;但新增供给短期内难以落地,三星表示其 2027 年的 HBM 产能已被预订一空,3D DRAM 也不会在 2027 年带来新增内存供给。

2026-11-06 ~ 2026-11-06 · 2 条相关