曝三星西安厂转产 286 层 NAND，SK 海力士大连厂拟升 240 层

rohanpaul_ai · x · 2026-10-22

路透独家：三星正通过内部项目「Monami」将占其全球 NAND 产量约 40% 的西安工厂从约 200 层升级到 286 层 V9 芯片，目标 12 月达月产 5000 片晶圆、2027 年 12 月达 4 万片。SK 海力士则计划将大连厂从 192 层 NAND 升至 240 层以上，据称已获批生产 240 层芯片，并可能向美方申请在大连研究 300+ 层技术。两家均称升级是与华盛顿磋商后进行，但美国商务部 2025 年曾表示只许可这些工厂继续运营而非扩产或技术升级，新批准范围不明。三星坚称符合美国出口规则、未新增产能。