GaN+InP 与 CMOS 晶圆级异构集成，仅军工承包商能玩转
jwt0625 · x · 2026-09-29
作者讨论先进半导体异构集成：只有大型国防承包商能把 GaN HEMT 与 InP HBT 与晶圆级 CMOS 异构集成在一起，商业代工厂各有短板（TSMC 有 GaN、Intel 有 InP）。
技术细节：GaN 面朝上，热量先散入 SiC 衬底再导入 Si CMOS 芯片；InP 面朝下用于高速互连；采用 15um 间距 Au-Au 热压缩键合。项目由 DARPA 异构集成计划资助。瓶颈在于周转时间和所需工序步骤数。附两篇参考文献（Gutierrez-Aitken 2017、Sengupta 2024 诺格微电子中心综述）。
所属事件:DARPA 资助 GaN+InP 与 CMOS 晶圆级异构集成(3 条相关)→
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