机构对内存涨价预期差 25 点:Q3 DRAM 涨 13-18% 还是 40-50%
Beth_Kindig · x · 2026-09-28
年末内存价格预测出现罕见分歧:Jefferies 预计 Q3 内存价格环比涨 40-50%、Q4 再涨 30-40%,而 TrendForce 对 Q3 的估计保守得多,DRAM 仅 13-18%、NAND 10-15%,差距超 25 个百分点。
I/O Fund 的 Beth Kindig 撰文分析为何本轮 AI 内存周期可能不同:
- HBM 市场爆发:从 2023 年约 40 亿美元增长到 2025 年的 346 亿美元,美光预计 2027 年达 1000 亿美元;SK 海力士与美光股价一年内分别上涨约 400% 和 500%。
- 需求外溢:推理工作负载和 KV cache 对内存的需求激增,供给紧张正从 HBM 扩散到常规 DRAM 和 NAND,部分供应商暗示新产能要到 2028 年才能到位。
- 周期形态改变:历史上内存周期在供给追上需求时见顶,但本轮头部厂商预计需求将多年高于可用产能。
- 风险提示:增长已在降温,多家内存公司转向长期协议(LTA)锁定收入,可能出现「周期持续紧张但报表增速放缓」的特殊格局。
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