CUMEC 薄膜铌酸锂异构集成硅光：调制器带宽约 100 GHz
jwt0625 · x · 2026-09-26
作者点评 CUMEC 的 8 英寸硅光平台异构集成薄膜铌酸锂（TFLN）芯片（引用 Wu2026 论文）：采用 TiN 蚀刻停止层定义键合沟槽；电光调制器 3dB 带宽约 100 GHz，PD 约 50 GHz；LN 波导较粗导致调制器偏长；垂直耦合器插损仅 0.1 dB，但边缘耦合器插损高达 1.6 dB。作者还好奇 CUMEC 的月产晶圆量。
所属事件:CUMEC 实现 8 英寸硅光异构集成薄膜铌酸锂(2 条相关)→
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