CUMEC 实现 8 英寸硅光异构集成薄膜铌酸锂

联合微电子中心（CUMEC）在 8 英寸硅光平台上实现薄膜铌酸锂（TFLN）异构集成，相关成果见于 Wu2026 论文。工艺上采用 TiN 蚀刻停止层定义键合沟槽；性能方面，电光调制器 3dB 带宽约 100GHz，光电探测器约 50GHz，不过 LN 波导较粗。业内人士认为该进展对高速光通信与大规模量产具有参考价值。

2026-09-26 ~ 2026-09-26 · 2 条相关