InP 膜上硅光子电路：移相静态功耗低至 29 飞瓦
jwt0625 · x · 2026-09-23
作者讨论一篇光子芯片论文：Akazawa 2026《Ultralow-power, high-speed programmable Si photonic circuits with InGaAsP membrane》。
关键点：
- π 相位偏移的静态功耗仅 29 fW，器件长度 600 µm
- 波状结构为 TE 通带滤波器（TE-pass filters）
- 采用 stealth dicing 切割并抛光端面
- 在 InP 晶圆上进行外延生长，再直接晶圆键合
这类超低功耗可编程硅光子电路对光互连/光计算基础设施有潜在意义。
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