High-NA 光刻把单次曝光场减半,6x12 英寸掩膜成业界解题方向
BenBajarin · x · 2026-09-08
High-NA EUV 光刻将曝光场减半，单次曝光可容纳的最大 die 尺寸也随之减半。当前方案是在现有 6 英寸掩膜上把两个半场拼接成一个 die；长期看，6x12 英寸掩膜才能无缝恢复完整 die 尺寸，但这需要整个生态系统协同——ASML 和英特尔正牵头推动这一方向。
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