CFET 技术突破：SRAM 面积缩减最高 55%
vitaliychiley · x · 2026-08-24
互补场效应晶体管 (CFET) 技术实现了超越传统纳米片环绕栅极 (GAA) 器件的主要静态随机存取存储器 (SRAM) 缩放。通过垂直堆叠 nFET 和 pFET 晶体管，该技术消除了横向 n-p 分隔空间，与标准纳米片或叉片基准相比，将 6T-SRAM 位单元面积减少了 40% 至 55%。
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