硅光波导损耗实测：低损耗氮化硅的猫腻
jwt0625 · x · 2026-08-22
针对“高密度 SiN 0.1 dB/cm 传播损耗”的观点进行了技术反驳。
- 定义争议：该参数至多算中等密度，真正的低损耗氮化硅常通过薄波导“作弊”，使模场主要位于氧化物中。
- 现有方案：优秀的 SiPho 代工厂已有多层氮化硅工艺。
- 具体指标：边缘耦合器的损耗范围应控制在 0.4-0.6 dB（而非 1 dB 以内）；光栅耦合器的对齐容差常被放错位置。
- 缺失因素：原讨论未提及带宽，这对 CWDM 或双向 DWDM 至关重要。
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