EUV 光刻底层材料电子效应加剧随机缺陷风险
CatAstro_Piyush · x · 2026-07-28
最新研究揭示了 EUV 光刻技术中的一个关键物理现象:光刻胶图像的形成并非主要依赖聚焦的 EUV 光,而是深受底层材料产生的背散射电子影响。
- 底层电子主导曝光:东京电子的研究表明,更换底层材料后,其产生的电子曝光甚至主导了整体光刻胶曝光过程,这能将 EUV 尺寸剂量降低多达一半。
- 加剧随机缺陷:作为额外的电子源,底层材料会增加电子剂量的变异性和图像模糊。这种效应会恶化 EUV 光刻胶图像中原本就存在的随机行为,进而影响关键尺寸(CD)和缺陷率。
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