Intel 开发 ZAM/XBM 替代 HBM，量产或需十年

Intel 正在开发 ZAM（Z-Angle Memory）与 XBM（Cross-Batch Memory）等 HBM 替代方案，通过改变堆叠方式与连接接口提升容量。其中 XBM 旨在绕开 HBM 所依赖的硅中介层（如台积电 CoWoS），以规避这部分 HBM 设计中最昂贵的成本及供应链瓶颈。不过报道称，这类新技术距离量产可能还需要约十年时间。

2026-08-15 ~ 2026-08-16 · 2 条相关