TSMC 展示 BEOL 内存计算:0.75V 运行、读写周期 <8ns
Terminator857 · reddit · 2026-11-07
在 2025 VLSI 研讨会上,TSMC 展示了基于氧化物半导体的 1T1C 内存技术,目标是把低功耗低延迟缓存直接集成进先进逻辑芯片:
- 内存阵列直接构建在逻辑芯片的 BEOL(后道互连)层中,而非像传统 DRAM 那样做成独立芯片;选通管采用氧化物半导体沟道,电容用低温工艺制造
- 测试芯片(单 die 集成内存+逻辑)在 0.75V 下工作,数据保持超 128ms,随机读写周期 <8ns,耐久性超 10¹⁴ 次
- 定位为比 SRAM 密度更高、功耗与延迟更低级的处理器缓存
另有报道称 TSMC 正探索生产 3D DRAM,将与 Samsung、SK Hynix、Micron 竞争。
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