康奈尔造出带隙超 7 eV 半导体,刷新纪录可耐更高电压
AviatorAshley · x · 2026-11-05
康奈尔大学工程师开发出一种硅掺杂的氧化铝镓(AlGaO)半导体材料,通过 MBE 在蓝宝石衬底上生长,带隙超过 7 电子伏特,大幅刷新此前约 6 eV 的纪录——该门槛因宽带隙材料易趋向绝缘体行为而长期难以突破。团队已将其制成可工作的器件,相关成果 10 月 7 日发表于《自然》。更宽带隙意味着材料能承受更强电场再击穿,可让电动车、电网基础设施等场景的电力电子器件处理更高电压并降低能量损耗。
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