前 Intel CEO 押注 Nagare Labs,Z2RAM 欲翻越内存墙

zephyr_z9 · x · 2026-10-28

前 Intel CEO Pat Gelsinger 投资了刚出 stealth 的 Nagare Labs,该公司由 Georgia Tech 研究者创立,开发名为 Z2RAM 的新型内存:用氧化物半导体实现接近 SRAM 的速度、接近 DRAM 的密度,且采用类 3D NAND 工艺、可在代工厂 BEOL 制造、无需 EUV。

Gelsinger 称内存三十年来只有 SRAM、DRAM、Flash 三种主流形态,HBM 在功耗、密度、带宽上受限,Z2RAM 正是补足这一空缺。背景是电容器厚度已成 DRAM 微缩瓶颈,而 SK Hynix 预计内存短缺将持续到 2030 年。文章也提醒,内存技术史上失败者众多,前路艰难。