自嘲式续梗：我们是 MOCVD 里的金属有机化合物
jwt0625 · x · 2026-10-28
作者延续上一条 III-V 材料话题，用 MOCVD（金属有机化学气相沉积）流程自嘲：「我们是 MOCVD 里的金属有机化合物，该沉积你的智能然后被 purge 掉了」，并引用 Dupuis 1984 论文，配图为垂直常压 MOCVD 反应器的结构示意图（含质量流量控制器、TMGa/TMAl/DEZn 源瓶等）。
所属事件:开发者热议 III-V 族化合物半导体加工难度远超硅(2 条相关)→
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