美光路线图:HBM4 单栈 2.8TB/s,2028 年推垂直 HBM 叠在 GPU 上

rohanpaul_ai · x · 2026-10-24

美光在最新报告中披露了到 2030 年的内存与存储路线图，要点：

HBM4 带宽:单栈 2.8 TB/s,约 13 张旗舰 AI GPU(各 8 栈)的内存总带宽即相当于全球国际互联网总容量约 282 TB/s。
内存需求暴涨:单 GPU 内存从 H100 的 80GB 增至 B300 的 288GB(3.6 倍);美光估计 AI 上下文长度每年增长 30 倍;robotaxi 所需内存超过今天辅助驾驶汽车的 10 倍。
垂直 HBM:计划 2028 年将内存直接堆叠在 GPU 上方而非旁边,缩短数据路径、提升每瓦性能。
AI 提效:AI agent 写芯片逻辑与固件,使 SSD 控制器设计周期缩短 50%,SSD 交付准备缩短 60%。
放弃 4F² DRAM:研究 20 多年后因成本与复杂度过高放弃该更密集单元布局(与三星、SK 海力士路径分道),转而向上做 3D DRAM。
AI 级 NAND:设计 GPU 可直接小块读取的闪存及 HBM 式堆叠 flash,用于存放模型权重与长对话工作内存,目标 2500 万1 亿次操作/秒。
制造密度:一根 50µm 发丝宽度内容纳超 1500 个存储电容;每片 DRAM 晶圆比特数较 1995 年提升 400 倍以上。

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