美光 G11 NAND:同面积容量翻倍,2027 下半年量产
rohanpaul_ai · x · 2026-10-24
美光下一代 NAND 闪存 G11 跳过 G10 命名,直接面向 AI 数据中心需求重新设计。相比现有 G9(堆叠 276 层),G11 堆叠超过 400 层并采用晶圆键合、更紧密的单元排布,同等硅面积上容量约翻倍,I/O 速度最高提升 1.5 倍,每比特搬运数据能耗降低 25% 以上。
- G11 量产定于 2027 年下半年,搭载的 SSD 会更晚上市
- 更高堆叠和第二层键合晶圆会增加成本,美光尚未公布每 GB 降价幅度
- 美光同时预告 G11 之后路线:高迁移率材料、超密集单元架构与低功耗数据通路
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