三星西安厂转向 286 层 V9 NAND,2027 年目标月产 4 万片
rohanpaul_ai · x · 2026-10-22
三星正在内部项目「Monami」下将其西安工厂（占其全球 NAND 产能约 40%）从约 200 层芯片转换到 286 层 V9 芯片，目标 12 月达到月产 5000 片晶圆，2027 年 12 月达到月产 4 万片。同时 SK 海力士计划将大连厂从 192 层 NAND 升级到 240 层以上，有消息称升级已在推进。
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