美光跳过 G10 直接上 G11 NAND：密度翻倍、2027 下半年量产
BenBajarin · x · 2026-10-21
美光宣布 NAND 技术从 G9 直接跨代到 G11：采用晶圆键合（wafer-on-wafer bonding）、超 400 层与业界领先的 cell pitch，密度约为 G9 的 2 倍，I/O 速度提升至 1.5 倍，每比特数据传输能耗降低超 25%，计划 2027 年下半年量产。后续路线还包括高迁移率材料、超高密度 cell 架构等。
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