硅光芯片实现 58 mHz 线宽超稳激光，频率噪声压制超 110 dB
jwt0625 · x · 2026-10-21
Nokia 贝尔实验室团队（AMF 代工）在 arXiv 发表论文，用硅光芯片实现亚赫兹本征线宽的超稳激光：电光自注入锁定（EOSIL）与免调制频率稳频技术，集成 Q 值达 3.46E9 的真空微腔（µFP）。
- 将商用 DFB 激光器在 1 Hz 偏移处的频率噪声谱密度压低超过 110 dB，接近 µFP 腔热噪声理论极限
- 实现基底线宽 58 mHz，1 秒平均时间的分数频率不稳定度 8.68E-13
- 芯片采用标准硅光工艺制造，面积仅 10 mm²
发帖人还提到论文的方法章节写得扎实，并展示了把图表交给 Claude 做成交互组件的做法；自由运转激光线宽改善达 5060 dB（MHz 级降到数十 Hz 级）。
所属事件:诺基亚贝尔实验室硅光芯片实现 58 毫赫兹线宽超稳激光(2 条相关)→
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