Pat Gelsinger 炮轰 HBM:每位数据耗四倍内存的「糟糕存储器」
SumitGup · x · 2026-10-11
前 Intel CEO Pat Gelsinger 在 SK Hynix 高管登台前公开抨击 HBM(高带宽内存)。他称 HBM 是「a lousy memory」,理由有三:
- 热学问题:HBM 本质是堆叠 DRAM,而 DRAM 不耐堆叠,等于做了个「热三明治」。
- 带宽受限:带宽受限于存储与 GPU 之间的点对点连接。
- 位效率极低:HBM 每产出 1 位可用数据,名义上要牺牲 4 位存储容量,位效率和能效都差。
他自嘲「骂别人家孩子丑不是交朋友的好方式」,但这番话直指当前 AI 算力供应链最核心的 HBM 技术路线的固有短板,值得关注。
「Infra」频道最新
- 黄仁勋不满实验室自研芯片,NVIDIA 或正面迎战前沿实验室 — pzakin · 2026-10-11
- 本地跑 Qwen 27B 换 Flash Next:RTX 5090 用户谈模型升级取舍 — MasterNomie · 2026-10-11
- AirLLM 逐层推理:4GB 显存跑 70B 模型,8GB 可上 405B — JensHonack · 2026-10-11
- 5090+32GB 内存能逼近 Codex 多少？网友求解本地编码智能体配置 — GooseEggs712 · 2026-10-11
- 两张图看懂:近两年训练算力从预训练转向后训练 — japie06 · 2026-10-11
- 让模型「原地重复」:权重循环复用把语音模型压缩 13 倍 — pbaylies · 2026-10-11