三星拟 2028 引入 4F² DRAM,长鑫年底推 4F² DDR5 内存条
zephyr_z9 · x · 2026-10-10
内存行业迎来关键制程演进。据行业分析师 tphuang,长鑫存储（CXMT）预计年底发布采用 4F² 技术的 DDR5 RDIMM 产品;三星则计划 2028 年引入 4F²。从 6F² 转向 4F² 可在同等制程节点下将单元面积缩小约 33%,是一次显著微缩,但单元晶体管需要重新设计,难度很高。三星可能先在 G5 级硅片上做 4F² 衍生布局或部分实现,完全的 4F² 单元则是更大的跨越。
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