理论学家拆解：如何用单带图灵机模拟对数字长 RAM
rrwilliams · x · 2026-10-07
知名复杂度理论学者 Ryan Williams 回复解释：对于字长 O(log t) 的 Word RAM，可将其内存的（地址, 字）对存放在图灵机带上约 t·poly(log t) 个单元中，这样 RAM 的每一步都可在约 t·poly(log t) 时间内模拟（遍历磁带找到目标地址，再写入新记录）。这一讨论源于 OpenAI 论文中单带图灵机模拟的相关推论。
所属事件:OpenAI图灵机模拟结果被指隐含RAM空间复杂度新推论(3 条相关)→
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