三星全球首个做出10a级DRAM working die,2028量产IGZO晶体管
zephyr_z9 · x · 2026-10-03
- 据韩国媒体 THE ELEC 报道,三星已用 10a 工艺(1d 之后的节点,电路线宽约 9.59.7nm)产出全球首个正常工作的 DRAM 晶片(working die),首次采用 4F² 方形单元与垂直沟道晶体管(VCT)结构。
- 4F² 相比传统 6F² 单元,同尺寸晶管理论可多放 3050% 的单元,在容量、速度、功耗上均有优势;缩小单元面积的问题通过把周边电路做成独立晶圆、以晶圆对晶圆混合键合贴到下方(PUC)解决。
- 三星计划今年完成 10a 开发、明年质量测试、2028 年移入量产线,4F²+VCT 将沿用 10a/10b/10c 三代,10d 起转向 3D DRAM。业内人士称因担心 10a 失败,三星此前还留有按老路线设计下下代 DRAM 的备份团队。
- 被引用的推文补充:三星还计划 2028 年量产用 IGZO(替换硅)做单元晶体管的 DRAM,先上 4F² 垂直沟道,再堆叠水平沟道层实现单片 3D,与 CXMT 路线类似。
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