HBM 紧缺将持续多年，华尔街「2029 存储崩盘」判断遭质疑
JOBhakdi · x · 2026-10-02
作者引用关于存储周期性的讨论并回应：存储的周期波动来自供给端而非需求端——未来几年有多座大型存储新厂投产，问题是需求能否消化这些新增产能而不引发价格崩盘（当前存储价格已处高位）。
作者的核心判断：
- 普通 DRAM 供给确实会随 CXMT 等厂商扩产而缓解，但 HBM 的紧缺短期内看不到缓解迹象，将长期受限。
- 真正的问题不是需求是否有周期性，而是华尔街押注「2029 年存储需求崩盘」是否正确——作者认为这一判断不成立。
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