100 GHz 锗光电探测器实测对比 Ghent 与 imec 方案,耦合损耗达 5 dB
jwt0625 · x · 2026-09-26
作者对比了两篇 2026 年硅光论文中的光电探测器(PD)方案:Declercq2026 报告了在兼容代工的硅光平台上,用 100 GHz 锗 PD 与 TFLN 调制器实现 320 Gb/s 无放大传输,并集成了行波驱动器与 TIA;Wu2026 则用 TiN 蚀刻停止层定义键合沟槽,实现铌酸锂薄膜与有源硅光的后端异构集成。作者点评 Ghent/imec 平台的光栅耦合器性能不佳,插损达 5 dB。
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